450 Można teraz zarezerwować na zapas
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
1+ | 26,380 zł |
10+ | 25,870 zł |
100+ | 15,700 zł |
500+ | 15,400 zł |
1000+ | 15,070 zł |
Informacje o produkcie
Specyfikacja
The HGTG11N120CND is a 1200V N-channel IGBT with anti-parallel hyper fast diode. It is in a non-punch through (NPT) IGBT design. This NPT series is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBT combines the best features of MOSFET and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. Offers lower conduction loss and lower switching loss for designing high efficiency and reliable systems. Optimized manufacturing process results in better control and repeatability of the top-side structure, resulting in tighter specifications and better EMI performance. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 340ns at TJ = 150°C Fall time
Specyfikacje techniczne
43A
298W
TO-247
150°C
-
2.4V
1.2kV
3Pins
montaż powierzchniowy
Lead (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
RoHS
RoHS
Świadectwo zgodności produktu