Drukuj stronę
MBT3946DW1T1G
Sieć tranzystorów bipolarnych, uniwersalny, Komplementarny NPN i PNP, 40 V, 40 V, 200 mA, 200 mA
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaMBT3946DW1T1G
Nr katalogowy Farnell1459079RL
Asortyment produktówMJxxxx Series
Karta katalogowa
20 445 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,210 zł |
| 1500+ | 0,180 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
125,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMBT3946DW1T1G
Nr katalogowy Farnell1459079RL
Asortyment produktówMJxxxx Series
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraKomplementarny NPN i PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN40V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP40V
Prąd ciągły kolektora, NPN200mA
Prąd ciągły kolektora, PNP200mA
Rozproszenie mocy, NPN150mW
Rozproszenie mocy, PNP150mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN250hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP250hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-363
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN300MHz
Częstotliwość przejścia, PNP250MHz
Asortyment produktówMJxxxx Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MBT3946DW1T1G is a NPN-PNP complementary Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package designed for general purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.
- 100 to 300 hFE
- ≤0.4V Low VCE(sat)
- Simplifies circuit design
- Reduces board space
- Reduces component count
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Komplementarny NPN i PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
40V
Prąd ciągły kolektora, PNP
200mA
Rozproszenie mocy, PNP
150mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
250hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
250MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
40V
Prąd ciągły kolektora, NPN
200mA
Rozproszenie mocy, NPN
150mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
250hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-363
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
300MHz
Asortyment produktów
MJxxxx Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MBT3946DW1T1G
Znaleziono 1 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.1
Śledzenie produktu