Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
47 W Magazynie
100 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 27,010 zł |
| 5+ | 23,460 zł |
| 10+ | 19,880 zł |
| 50+ | 17,850 zł |
| 100+ | 15,830 zł |
| 250+ | 15,530 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
27,01 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMJ15016G
Nr katalogowy Farnell9557130
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter120V
Prąd ciągły kolektora15A
Rozproszenie mocy180W
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-3
Montaż tranzystoraprzewlekany
Liczba pinów2Pins
Częstotliwość przejścia ft18MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE70hFE
Temperatura robocza, maks.200°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MJ15016G is a -120V Silicon PNP Bipolar Complementary High Power Transistor designed for high power audio, disk head positioners and other linear applications. The transistor can also be used in power switching circuits such as relay or solenoid drivers, DC TO DC converters, inverters or for inductive loads requiring higher safe operating area.
- High current gain bandwidth
- Safe operating area
- Collector-base voltage (Vcbo = 200V)
- Emitter-base voltage (Vcbo = 7V)
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
15A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-3
Liczba pinów
2Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
70hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
120V
Rozproszenie mocy
180W
Montaż tranzystora
przewlekany
Częstotliwość przejścia ft
18MHz
Temperatura robocza, maks.
200°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (3)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Mexico
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0115
Śledzenie produktu