Drukuj stronę
MJD45H11TF...
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMJD45H11TF...
Nr katalogowy Farnell2464112RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter80V
Prąd ciągły kolektora8A
Rozproszenie mocy20W
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft40MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE60hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MJD45H11TF...
Znaleziono 7 produktów
Specyfikacja
The MJD45H11TF is a PNP Epitaxial Silicon Transistor designed for general purpose power and switching (such as output or driver stages) applications.
- Lead formed for surface-mount application
- Low collector emitter saturation voltage
- Fast switching speeds
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
8A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
60hFE
Asortyment produktów
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
80V
Rozproszenie mocy
20W
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
40MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0005