Drukuj stronę
MJE4343G
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 160 V, 16 A, 125 W, TO-218, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z magazynu
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMJE4343G
Nr katalogowy Farnell1653704
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter160V
Prąd ciągły kolektora16A
Rozproszenie mocy125W
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-218
Montaż tranzystoraprzewlekany
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft1MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE35hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
16A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-218
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
35hFE
Asortyment produktów
-
Maks. napięcie kolektor-emiter
160V
Rozproszenie mocy
125W
Montaż tranzystora
przewlekany
Częstotliwość przejścia ft
1MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (3)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.15