Drukuj stronę
MMBFJ201
Tranzystor JFET, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 piny, 150 °C
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
47 131 W Magazynie
6 000 Można teraz zarezerwować na zapas
.
.
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,850 zł |
| 50+ | 0,990 zł |
| 100+ | 0,670 zł |
| 500+ | 0,650 zł |
| 1500+ | 0,590 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
9,25 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBFJ201
Nr katalogowy Farnell2295758
Karta katalogowa
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło-40V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.200µA
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.1mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.-1.5V
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3 piny
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj tranzystoraJFET
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
MMBFJ201 jest N-kanałowym tranzystorem JFET 40 V, zaprojektowanym przede wszystkim do aplikacji audio niskiego poziomu oraz ogólnego zastosowania za pomocą źródeł sygnałowych o dużej wartości impedancji. Produkt ten jest zastosowania ogólnego; jest odpowiedni do wielu różnych aplikacji.
- Napięcia dren-bramka (VDG): 40 V
- Bramkowy prąd przewodzenia: 50mA
- Rezystancja termiczna, połączenie/otoczenie: 357°C/W
Specyfikacje techniczne
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło
-40V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.
1mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Temperatura robocza, maks.
150°C
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.
200µA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.
-1.5V
Liczba pinów
3 piny
Rodzaj tranzystora
JFET
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBFJ201
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.004536
Śledzenie produktu