Drukuj stronę
MMBFJ201
Tranzystor JFET, JFET, -40 V, 1 mA, -1.5 V, SOT-23, 3 piny, 150 °C
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
12 000 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 3000+ | 0,400 zł |
| 9000+ | 0,390 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na pełnej rolce)
Minimum: 3000
Wiele: 3000
1 200,00 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBFJ201
Nr katalogowy Farnell2323150
Karta katalogowa
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło-40V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.1mA
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.200µA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.-1.5V
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3 piny
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj tranzystoraJFET
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MMBFJ201 is a 40V N-channel Junction (JFET) Field Effect Transistor designed primarily for low level audio and general purpose applications with high impedance signal sources. This product is general usage and suitable for many different applications.
- 40V Drain gate voltage (VDG)
- 50mA Forward gate current
- 357°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło
-40V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.
200µA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Temperatura robocza, maks.
150°C
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.
1mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.
-1.5V
Liczba pinów
3 piny
Rodzaj tranzystora
JFET
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000034
Śledzenie produktu