Drukuj stronę
MMBFJ309LT1G
Tranzystor JFET, JFET, -25 V, 30 mA, -4 V, SOT-23, 3 piny, 150 °C
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
34 627 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 2,090 zł |
| 50+ | 1,020 zł |
| 100+ | 0,730 zł |
| 500+ | 0,630 zł |
| 1500+ | 0,550 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
10,45 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBFJ309LT1G
Nr katalogowy Farnell1431339
Karta katalogowa
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło-25V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.30mA
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.12mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.-4V
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3 piny
Rodzaj tranzystoraJFET
Temperatura robocza, maks.150°C
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
MMBFJ309LT1G jest N-kanałowym tranzystorem JFET, przeznaczonym do wzmacniaczy i oscylatorów o wysokiej częstotliwości. Układ posiada wymienne opcje dren / źródło, a także obudowę do montażu powierzchniowego, która oszczędza miejsce. Niska wartość RDS (ON) zapewnia wyższy poziom efektywności, wydłuża także żywotność baterii.
- Napięcie dren-źródło 25 VDC
- Napięcie bramka-źródło 25 VDC
- Prąd bramki: 10 mA
Specyfikacje techniczne
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło
-25V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.
12mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Rodzaj tranzystora
JFET
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.
30mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.
-4V
Liczba pinów
3 piny
Temperatura robocza, maks.
150°C
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBFJ309LT1G
Znaleziono 8 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001058
Śledzenie produktu