Drukuj stronę
MMBFU310LT1G
Tranzystor JFET, JFET, 25 V, 60 mA, 6 V, SOT-23, 3 piny, 150 °C
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
10 036 W Magazynie
15 000 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,520 zł |
| 50+ | 0,950 zł |
| 100+ | 0,560 zł |
| 500+ | 0,520 zł |
| 1500+ | 0,490 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
7,60 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBFU310LT1G
Nr katalogowy Farnell1431342
Karta katalogowa
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło25V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.60mA
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.24mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.6V
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3 piny
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj tranzystoraJFET
Typ kanałuKanał typu N
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MMBFU310LT1G is a N-channel JFET designed for high frequency amplifiers and oscillators. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
- 25V Drain-source voltage
- 25V Gate-source voltage
- 10mA Gate current
Specyfikacje techniczne
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło
25V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.
24mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Temperatura robocza, maks.
150°C
Typ kanału
Kanał typu N
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.
60mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.
6V
Liczba pinów
3 piny
Rodzaj tranzystora
JFET
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBFU310LT1G
Znaleziono 8 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008
Śledzenie produktu