Drukuj stronę
27 357 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,580 zł |
| 50+ | 0,340 zł |
| 100+ | 0,210 zł |
| 500+ | 0,150 zł |
| 1500+ | 0,130 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
2,90 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBT2222AWT1G
Nr katalogowy Farnell2317589
Asortyment produktówMMBTxxxx
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter40V
Prąd ciągły kolektora600mA
Rozproszenie mocy150mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-323
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft300MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE35hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówMMBTxxxx
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
MMBT2222AWT1G jest bipolarnym tranzystorem NPN, opracowanym do wzmacniania uniwersalnego. Układ jest znajduje się w obudowie, która przeznaczona jest do aplikacji niższej mocy do montażu powierzchniowego.
- Niska wartość RDS (on) zapewnia wyższą wydajność i przedłuża żywotność baterii
- Obudowa pozwala na zaoszczędzenie powierzchni płytki
- Kwalifikacja AEC-Q101, zdolność PPAP
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
600mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-323
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
35hFE
Asortyment produktów
MMBTxxxx
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
40V
Rozproszenie mocy
150mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
300MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBT2222AWT1G
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000006
Śledzenie produktu