Drukuj stronę
32 933 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa ESPRESOWA w 1–2 dni robocze
Złóż zamówienie przed godziną 17:00
BEZPŁATNA standardowa dostawa
zamówień 0,00 zł i powyżej
Dokładne terminy dostawy zostaną obliczone przy finalizacji zamówienia
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,580 zł |
| 50+ | 0,330 zł |
| 250+ | 0,230 zł |
| 1000+ | 0,170 zł |
| 13500+ | 0,120 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
2,90 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBT5089LT1G
Nr katalogowy Farnell1653625
Asortyment produktówMMBTxxxx
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter25V
Prąd ciągły kolektora50mA
Rozproszenie mocy225mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft50MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE50hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówMMBTxxxx
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MMBT5089LT1G is a NPN Bipolar Transistor designed for high gain and low noise general purpose amplifier applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.
- Low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life
- Saves board space
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
50mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
50hFE
Asortyment produktów
MMBTxxxx
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
25V
Rozproszenie mocy
225mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
50MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.08
Śledzenie produktu