Drukuj stronę
9 014 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,490 zł |
| 50+ | 0,340 zł |
| 250+ | 0,160 zł |
| 1000+ | 0,160 zł |
| 10500+ | 0,090 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
2,45 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBZ33VALT1G
Nr katalogowy Farnell1431231
Asortyment produktówMMBZ
Karta katalogowa
Asortyment produktówMMBZ
Biegunowość TVSJednokierunkowe
Napięcie zaporowe26V
Maks. napięcie odcięcia46V
Rodzaj obudowy diodySOT-23
Liczba pinów3Pins
Napięcie przebicia - min.31.35V
Maks. napięcie przebicia34.65V
Rozpraszanie mocy szczytowej impulsu40W
Temperatura robocza, maks.150°C
Sposób montażu diodyMontaż powierzchniowy
KwalifikacjaAEC-Q101
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
Podwójna dioda Zenera TVS serii MMBZ, ze wspólną anodą, jest przeznaczona do aplikacji wymagających zabezpieczenia przed przejściowym nadnapięciem. Przeznaczona jest do użytku w sprzęcie czułym na wyładowania elektrostatyczne (ESD), takim jak: komputery, drukarki, sprzęt biurowy, systemy komunikacyjne, sprzęt medyczne oraz w innych zastosowaniach. Jest idealna do aplikacji, w których najważniejsza jest powierzchnia płytki.
- Zakres szczytowego, wstecznego napięcia roboczego: 3 do 26V
- Standardowy zakres napięcia przebicia Zenera: 5.6 do 33V
- Moc szczytowa: 24 lub 40W przy 1ms (jednokierunkowa)
- ESD klasy 3B (<gt/>16kV) na model ciała ludzkiego
- ESD klasy C (<gt/>400V) na model maszynowy
- Maksymalne napięcie odcięcia przy szczytowym prądzie impulsowym
- Niski upływ: <lt/>5μA
- Zakres temperatury pracy -55 do 150°C
Specyfikacje techniczne
Asortyment produktów
MMBZ
Napięcie zaporowe
26V
Rodzaj obudowy diody
SOT-23
Napięcie przebicia - min.
31.35V
Rozpraszanie mocy szczytowej impulsu
40W
Sposób montażu diody
Montaż powierzchniowy
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Biegunowość TVS
Jednokierunkowe
Maks. napięcie odcięcia
46V
Liczba pinów
3Pins
Maks. napięcie przebicia
34.65V
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBZ33VALT1G
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000008
Śledzenie produktu