Drukuj stronę
NDS9945.
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 60 V, 3.5 A, 0.1 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
5 167 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 7,470 zł |
| 50+ | 5,280 zł |
| 100+ | 4,300 zł |
| 500+ | 3,600 zł |
| 1000+ | 3,300 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
37,35 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNDS9945.
Nr katalogowy Farnell1653654
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N60V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P-
Prąd ciągły Id drenu, kanał N3.5A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P-
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.1ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P-
Rodzaj obudowy tranzystoraSOIC
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N1.6W
Rozproszenie mocy, kanał typu P-
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The NDS9945 is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET produced using high cell density and DMOS technology. This high density process is especially tailored to provide superior switching performance and minimize ON-state resistance. The device is particularly suited for low voltage applications such as disk drive motor control, battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
- High density cell design for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
- ±20V Gate to source voltage
- 3.5A Continuous drain current
- 10A Pulsed drain current
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
-
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
-
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
-
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
-
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
3.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.1ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SOIC
Rozproszenie mocy, kanał typu N
1.6W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000227
Śledzenie produktu