Drukuj stronę
NGTG20N60L2TF1G..
IGBT, 40 A, 1.45 V, 64 W, 600 V, TO-3PF, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNGTG20N60L2TF1G..
Nr katalogowy Farnell2432923
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora40A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.45V
Rozproszenie mocy64W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-3PF
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Specyfikacja
The NGTG20N60L2TF1G is a N-channel enhancement-mode IGBT for use with general purpose inverter and power factor correction of white goods appliance.
- High efficiency
- Easy to attach
- High reliability
- Adaption of full isolation type package
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
40A
Rozproszenie mocy
64W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-3PF
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.45V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00795