Drukuj stronę
NSS40600CF8T1G
Tranzystor, PNP, 40 V, 6 A, 150°C, 2,75 W, ChipFET, 100 MHz
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNSS40600CF8T1G
Nr katalogowy Farnell3615543
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter40V
Prąd ciągły kolektora6A
Rozproszenie mocy2.75W
Rodzaj obudowy tranzystoraChipFET
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów8Pins
Częstotliwość przejścia ft100MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE300hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Specyfikacja
Uwagi
Zapotrzebowanie na ten produkt przyczyniło się do wydłużenia czasu realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
6A
Rodzaj obudowy tranzystora
ChipFET
Liczba pinów
8Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
300hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
40V
Rozproszenie mocy
2.75W
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
100MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.1
Śledzenie produktu