Drukuj stronę
NST3904DP6T5G
Sieć tranzystorów bipolarnych, Podwójny NPN, 40 V, 200 mA, 350 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 12 tydzień (tygodnie)
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 16000+ | 0,190 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 16000
Wiele: 16000
3 040,00 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNST3904DP6T5G
Nr katalogowy Farnell2317635
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN40V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP-
Prąd ciągły kolektora, NPN200mA
Prąd ciągły kolektora, PNP-
Rozproszenie mocy, NPN350mW
Rozproszenie mocy, PNP-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN30hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP-
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-963
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN200MHz
Częstotliwość przejścia, PNP-
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The NST3904DP6T5G is a dual Bipolar Transistor Array housed in a surface-mount package, designed for general-purpose amplifier applications. By putting two discrete devices in one package, it is ideal for low-power surface-mount applications where board space is at a premium.
- 100 to 300 hFE
- ≤0.4V Low VCE(sat)
- Reduces board space and component count
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Uwagi
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny NPN
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
-
Prąd ciągły kolektora, PNP
-
Rozproszenie mocy, PNP
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
-
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
-
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
40V
Prąd ciągły kolektora, NPN
200mA
Rozproszenie mocy, NPN
350mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
30hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-963
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
200MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000027
Śledzenie produktu