Drukuj stronę
NTMYS2D4N04CTWG
MOSFET mocy, Kanał typu N, 40 V, 138 A, 0.0023 ohm, LFPAK, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
2 566 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 3,410 zł |
| 500+ | 3,170 zł |
| 1000+ | 3,140 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
361,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNTMYS2D4N04CTWG
Nr katalogowy Farnell3236757RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraKanał N
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu138A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0023ohm
Rezystancja przewodzenia Rds(on)0.0019ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraLFPAK
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3.5V
Rozproszenie mocy83W
Rozpraszanie mocy Pd83W
Liczba pinów4Pins
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Kanał N
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0023ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
LFPAK
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
83W
Liczba pinów
4Pins
Asortyment produktów
-
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
138A
Rezystancja przewodzenia Rds(on)
0.0019ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
3.5V
Rozpraszanie mocy Pd
83W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0007
Śledzenie produktu