Drukuj stronę
NVBG160N120SC1
MOSFET - węglik krzemu, EliteSiC, pojedyncze, Kanał typu N, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaNVBG160N120SC1
Nr katalogowy Farnell3528515
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
522 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 45,150 zł |
| 10+ | 34,140 zł |
| 50+ | 29,920 zł |
| 100+ | 25,700 zł |
| 250+ | 25,190 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
45,15 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaNVBG160N120SC1
Nr katalogowy Farnell3528515
Asortyment produktówEliteSiC Series
Karta katalogowa
Konfiguracja MOSFETpojedyncze
Typ kanałuKanał typu N
Prąd ciągły Id drenu19.5A
Napięcie drenu / źródła Vds1.2kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.16ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-263HV (D2PAK)
Liczba pinów7Pins
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)20V
Napięcie progowe Vgs3V
Rozproszenie mocy136W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówEliteSiC Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 3 - 168 godzin
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacja
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja MOSFET
pojedyncze
Prąd ciągły Id drenu
19.5A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.16ohm
Liczba pinów
7Pins
Napięcie progowe Vgs
3V
Temperatura robocza, maks.
175°C
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 3 - 168 godzin
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds
1.2kV
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-263HV (D2PAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
20V
Rozproszenie mocy
136W
Asortyment produktów
EliteSiC Series
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0034
Śledzenie produktu