Drukuj stronę
29 743 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 500+ | 0,180 zł |
| 1500+ | 0,150 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 500
Wiele: 5
110,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaRB751S40T1G
Nr katalogowy Farnell2317437RL
Asortyment produktówRB751
Karta katalogowa
Konfiguracja diodyPojedyncze
Wartość szczytowa napięcia wstecznego30V
Średni prąd przewodzenia30mA
Maks. napięcie przewodzenia370mV
Prąd udarowy przewodzenia500mA
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy diodySOD-523
Liczba pinów2Pins
Czas odzyskiwania zdolności zaporowej-
Sposób montażu diodyMontaż powierzchniowy
Asortyment produktówRB751
KwalifikacjaAEC-Q101
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The RB751S40T1G is a Schottky Barrier Diode designed for high speed switching applications, circuit protection and voltage clamping. It features extremely low forward voltage reduces conduction loss. This miniature surface mount package is excellent for hand held and portable applications, where space is limited.
- Extremely fast switching speed
- 0.28V at IF = 1mADC Extremely low forward voltage (typ.)
- Low reverse current
- Lead-free plating
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Pb-free, halogen free/BFR free
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja diody
Pojedyncze
Średni prąd przewodzenia
30mA
Prąd udarowy przewodzenia
500mA
Rodzaj obudowy diody
SOD-523
Czas odzyskiwania zdolności zaporowej
-
Asortyment produktów
RB751
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Wartość szczytowa napięcia wstecznego
30V
Maks. napięcie przewodzenia
370mV
Temperatura robocza, maks.
150°C
Liczba pinów
2Pins
Sposób montażu diody
Montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
AEC-Q101
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze RB751S40T1G
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000081
Śledzenie produktu