Drukuj stronę
FDC6327C
Podwójny MOSFET, kanał N i P, 20 V, 20 V, 2.7 A, 1.9 A, 0.08 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaFDC6327C
Nr katalogowy Farnell2323160
Asortyment produktówPowerTrench Series
Karta katalogowa
45 000 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 3000+ | 1,300 zł |
| 9000+ | 1,220 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na pełnej rolce)
Minimum: 3000
Wiele: 3000
3 900,00 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFDC6327C
Nr katalogowy Farnell2323160
Asortyment produktówPowerTrench Series
Karta katalogowa
Typ kanałukanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N20V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N2.7A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P1.9A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.08ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.17ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSuperSOT
Liczba pinów6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N960mW
Rozproszenie mocy, kanał typu P960mW
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówPowerTrench Series
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The FDC6327C is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. This device has been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive packages are impractical. It is suitable for use with load switch and DC-to-DC converter applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
kanał N i P
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
1.9A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.17ohm
Liczba pinów
6Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
960mW
Asortyment produktów
PowerTrench Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
20V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
2.7A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.08ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
SuperSOT
Rozproszenie mocy, kanał typu N
960mW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.01
Śledzenie produktu