Drukuj stronę
FDMD8560L
Podwójny MOSFET, PowerTrench, Kanał typu N, 60 V, 93 A, 0.0025 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentONSEMI
Nr części producentaFDMD8560L
Nr katalogowy Farnell2610668RL
Asortyment produktówPowerTrench Series
Karta katalogowa
4 367 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Dostępne do wyczerpania zapasów
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 8,740 zł |
| 500+ | 7,090 zł |
| 1000+ | 6,960 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 5
894,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFDMD8560L
Nr katalogowy Farnell2610668RL
Asortyment produktówPowerTrench Series
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N60V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P-
Prąd ciągły Id drenu, kanał N93A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P-
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.0025ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P-
Rodzaj obudowy tranzystoraPQFN
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N48W
Rozproszenie mocy, kanał typu P-
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówPowerTrench Series
Kwalifikacja-
Specyfikacja
FDMD8560L is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Qg FOM silicon. Application includes synchronous buck primary switch of half / full bridge converter for telecom, motor bridge primary switch of half / full bridge converter for BLDC motor, MV POL 48V synchronous buck switch, and half/full bridge secondary synchronous rectification.
- Ideal for flexible layout in primary side of bridge topology
- 100% UIL tested, kelvin high side MOSFET drive Pin-out capability
- Static drain to source on resistance is 2.5mohm (typ, VGS = 10V, ID = 22A, Q1)
- Drain to source voltage is 60V (Q1, Q2, typ, TA = 25°C)
- Gate to source threshold voltage is 1.0V (typ, Q1, Q2, VGS = VDS, ID = 250µA)
- Power dissipation is 48W (typ, Q1, Q2, TC = 25°C)
- Rise time is 15ns (typ, Q1, Q2, VDD = 30V, ID = 22A, VGS = 10V, RGEN = 6ohm)
- Reverse recovery time is 53ns (Q1, Q2, IF = 22A, di/dt = 100A/μs, typ)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +150°C, power 5 x 6 package
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
-
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
-
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
-
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
-
Asortyment produktów
PowerTrench Series
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
60V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
93A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.0025ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
PQFN
Rozproszenie mocy, kanał typu N
48W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000254