Drukuj stronę
FGP5N60LS
IGBT, uniwersalny, 10 A, 1.7 V, 83 W, 600 V, TO-220AB, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaFGP5N60LS
Nr katalogowy Farnell1885743
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora10A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter1.7V
Rozproszenie mocy83W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-220AB
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Specyfikacja
The FGP5N60LS is a novel Field Stop IGBT offers the optimum performance for HID ballast applications where low conduction losses are essential.
- High current capability
- High input impedance
- 1.7V @ IC = 5A Low saturation voltage
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
10A
Rozproszenie mocy
83W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-220AB
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
1.7V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Dokumentacja techniczna (3)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:South Korea
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.00195
Śledzenie produktu