Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
10 110 W Magazynie
7 500 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
5+ | 2,190 zł |
50+ | 1,410 zł |
250+ | 1,160 zł |
1000+ | 0,670 zł |
3000+ | 0,490 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
10,95 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMBRS1100T3G
Nr katalogowy Farnell9555862
Karta katalogowa
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne100V
Średni prąd przewodzenia1A
Konfiguracja diodyPojedyncze
Rodzaj obudowy diodyDO-214AA (SMB)
Liczba pinów2Pins
Maks. napięcie przewodzenia750mV
Prąd udarowy przewodzenia50A
Temperatura robocza, maks.175°C
Sposób montażu diodyMontaż powierzchniowy
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MBRS1100T3G from On Semiconductor is surface mount "J" bent leaded schottky power rectifier in SMB (CASE 403A-03 ) package. This diode features epitaxial construction with highly stable oxide passivated junction and metal contact and are intended for use in low voltage, high frequency rectification, freewheeling, polarity protection and applications where size and weight are critical to the system.
- Epoxy moulded
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- Guard ring for stress protection
- Maximum repetitive reverse voltage Vrrm of 100V
- Non repetitive forward surge current IFSM of 50A
- Forward current IF(AV) of 1A at TL 163°C and 2A at TL 148°C
- Operating junction temperature range from -65°C to 175°C
- Maximum forward voltage VF of 750mV at IF 1A
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie rynkowe na ten produkt spowodowało wydłużenie czasu realizacji - czasy dostaw mogą ulec zmianie
Specyfikacje techniczne
Powtarzalne szczytowe napięcie wsteczne
100V
Konfiguracja diody
Pojedyncze
Liczba pinów
2Pins
Prąd udarowy przewodzenia
50A
Sposób montażu diody
Montaż powierzchniowy
Kwalifikacja
-
Średni prąd przewodzenia
1A
Rodzaj obudowy diody
DO-214AA (SMB)
Maks. napięcie przewodzenia
750mV
Temperatura robocza, maks.
175°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MBRS1100T3G
Znaleziono 5 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Y-Ex
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001
Śledzenie produktu