Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
3000+ | 0,360 zł |
9000+ | 0,330 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na pełnej rolce)
Minimum: 1
Wiele: 1
--
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBFJ177LT1G
Nr katalogowy Farnell2442049
Karta katalogowa
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło30V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.-20mA
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.-1.5mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.2.5V
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Liczba pinów3 piny
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj tranzystoraJFET
Typ kanałuKanał typu P
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MMBFJ177LT1G is a P-channel JFET designed for analogue switching and chopper applications. The low RDS (ON) provides higher efficiency and extends battery life. The device is encapsulated in a surface-mount package which saves board space.
- -25V Drain-gate voltage
- 25V Gate-source voltage
Specyfikacje techniczne
Maks. napięcie przebicia bramka-źródło
30V
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss, min.
-1.5mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Temperatura robocza, maks.
150°C
Typ kanału
Kanał typu P
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Prąd drenu przy zerowym nap. bramki Idss maks.
-20mA
Napięcie odcięcia bramka-źródło Vgs(off) maks.
2.5V
Liczba pinów
3 piny
Rodzaj tranzystora
JFET
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu