Drukuj stronę
R1LV0108ESA-5SI#B1
SRAM, Asynchroniczna pamięć SRAM, LPSRAM, 1 Mbit, 128Kword x 8bit, STSOP, 32 piny/-ów, 2.7 V
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
224 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 10,970 zł |
| 10+ | 9,620 zł |
| 25+ | 9,240 zł |
| 50+ | 8,860 zł |
| 100+ | 8,360 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
10,97 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentRENESAS
Nr części producentaR1LV0108ESA-5SI#B1
Nr katalogowy Farnell4146921
Karta katalogowa
Rodzaj pamięci SRAMAsynchroniczna pamięć SRAM, LPSRAM
Gęstość pamięci1Mbit
Konfiguracja pamięci128Kword x 8bit
Obudowa układu ICSTSOP
Liczba pinów32Pins
Napięcie zasilania, min.2.7V
Napięcie zasilania, maks.3.6V
Napięcie zasilania, znamionowe3V
Maks. częstotliwość zegara-
Montaż układu ICMontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
R1LV0108ESA-5SI#B1 is a 1Mb advanced LPSRAM (128k word x 8bit). The R1LV0108E series low voltage 1-Mbit static RAM organized as 131, 072-word by 8-bit, fabricated by Renesas’s high-performance 0.15um CMOS and TFT technologies. The R1LV0108E series has realized higher density, higher performance and low power consumption. The R1LV0108E series is suitable for memory applications where a simple interfacing, battery operating and battery backup are the important design objectives.
- Single 2.7V to 3.6V power supply
- Small stand-by current is 0.6µA (3.0V, typical)
- No clocks, no refresh
- All inputs and outputs are TTL compatible
- Easy memory expansion by CS1# and CS2
- Common data I/O
- Three-state outputs: OR-tie capability
- OE# prevents data contention on the I/O bus
- 55ns access time
- 32-pin plastic sTSOP package, -40 to +85°C temperature range
Specyfikacje techniczne
Rodzaj pamięci SRAM
Asynchroniczna pamięć SRAM, LPSRAM
Konfiguracja pamięci
128Kword x 8bit
Liczba pinów
32Pins
Napięcie zasilania, maks.
3.6V
Maks. częstotliwość zegara
-
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Gęstość pamięci
1Mbit
Obudowa układu IC
STSOP
Napięcie zasilania, min.
2.7V
Napięcie zasilania, znamionowe
3V
Montaż układu IC
Montaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.
85°C
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu