Drukuj stronę
TP65H100G4LSGB-TR
tranzystor GaN, 650 V, 18.9 A, 0.11 ohm, 14.4 nC, PQFN, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
3 000 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 14,310 zł |
| 500+ | 13,080 zł |
| 1000+ | 11,900 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
1 451,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentRENESAS
Nr części producentaTP65H100G4LSGB-TR
Nr katalogowy Farnell4680951RL
Karta katalogowa
Napięcie drenu / źródła Vds650V
Prąd ciągły Id drenu18.9A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.11ohm
Rodzaj ładunku bramki (Qg)14.4nC
Liczba pinów8Pins
Specyfikacje techniczne
Napięcie drenu / źródła Vds
650V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.11ohm
Liczba pinów
8Pins
Prąd ciągły Id drenu
18.9A
Rodzaj ładunku bramki (Qg)
14.4nC
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu