Drukuj stronę
IMT4T108
Sieć tranzystorów bipolarnych, Podwójny PNP, 120 V, 50 mA
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaIMT4T108
Nr katalogowy Farnell1680347RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPodwójny PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN-
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP120V
Prąd ciągły kolektora, NPN-
Prąd ciągły kolektora, PNP50mA
Rozproszenie mocy, NPN-
Rozproszenie mocy, PNP300mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP180hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-457
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN-
Częstotliwość przejścia, PNP140MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
Podwójny PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
120V
Prąd ciągły kolektora, PNP
50mA
Rozproszenie mocy, PNP
300mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
180hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
140MHz
Kwalifikacja
-
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
-
Prąd ciągły kolektora, NPN
-
Rozproszenie mocy, NPN
-
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
-
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-457
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
-
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000035