Drukuj stronę
IMZ1AT108
Sieć tranzystorów bipolarnych, podwójny, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 300 mW
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 737 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,930 zł |
| 10+ | 1,220 zł |
| 100+ | 0,790 zł |
| 500+ | 0,590 zł |
| 1000+ | 0,420 zł |
| 5000+ | 0,420 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
9,65 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentROHM
Nr części producentaIMZ1AT108
Nr katalogowy Farnell1680352
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN50V
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP50V
Prąd ciągły kolektora, NPN150mA
Prąd ciągły kolektora, PNP150mA
Rozproszenie mocy, NPN300mW
Rozproszenie mocy, PNP300mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN120hFE
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP120hFE
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-457
Liczba pinów6Pins
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Temperatura robocza, maks.150°C
Częstotliwość przejścia, NPN180MHz
Częstotliwość przejścia, PNP140MHz
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Specyfikacja
The IMZ1AT108 is a NPN-PNP general purpose Bipolar Transistor Array with epitaxial planar silicon structure. It has mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. The device integrating two transistors is available in ultra-compact package, suitable for various applications such as pre-amplifier differential amplification circuits, high-frequency oscillators and driver ICs.
- Transistor elements are independent, eliminating interference
- Mounting area can be cut in half
- Ultra-compact complex digital transistor
- Potential divider type
- Small surface-mount package
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN, PNP
Maks. napięcie kolektor-emiter, PNP
50V
Prąd ciągły kolektora, PNP
150mA
Rozproszenie mocy, PNP
300mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, PNP
120hFE
Liczba pinów
6Pins
Temperatura robocza, maks.
150°C
Częstotliwość przejścia, PNP
140MHz
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Maks. napięcie kolektor-emiter, NPN
50V
Prąd ciągły kolektora, NPN
150mA
Rozproszenie mocy, NPN
300mW
Min. wzmocnienie prądu DC hFE, NPN
120hFE
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-457
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia, NPN
180MHz
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Japan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000363
Śledzenie produktu