Drukuj stronę
GD200HFY120C2S
moduł IGBT, półmostek, 309 A, 2 V, 1.006 kW, 150 °C, Moduł
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
36 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 365,870 zł |
| 5+ | 344,860 zł |
| 10+ | 322,490 zł |
| 50+ | 310,800 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
365,87 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTARPOWER
Nr części producentaGD200HFY120C2S
Nr katalogowy Farnell2986062
Karta katalogowa
Konfiguracja IGBTpółmostek
Prąd ciągły kolektora309A
Prąd kolektora DC309A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)2V
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2V
Rozproszenie mocy1.006kW
Rozpraszanie mocy Pd1.006kW
Temperatura złącza Tj, maks.150°C
Temperatura robocza, maks.150°C
Rodzaj obudowy tranzystoraModuł
Zakończenie IGBTzatrzask
Maks. napięcie kolektor-emiter1.2kV
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo1.2kV
Technologia IGBTTrench Field Stop
Montaż tranzystoraPanelowa
Asortyment produktów-
Substancje SVHCTo Be Advised
Specyfikacja
Moduły i układy IGBT Starpower zapewniają ultraniski straty przewodzenia, jak również solidność zwarciową. Są zaprojektowane do takich aplikacji jak uniwersalne inwertery oraz UPS. Posiada najważniejsze cechy technologii Trench IGBT, maksymalną temperaturę połączeniową 175°C oraz izolowaną płytkę bazową z wykorzystaniem technologii DBC.
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Konfiguracja IGBT
półmostek
Prąd kolektora DC
309A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2V
Rozpraszanie mocy Pd
1.006kW
Temperatura robocza, maks.
150°C
Zakończenie IGBT
zatrzask
Napięcie kolektor - emiter V(br)ceo
1.2kV
Montaż tranzystora
Panelowa
Substancje SVHC
To Be Advised
Prąd ciągły kolektora
309A
Napięcie nasycenia kolektor - emiter Vce(on)
2V
Rozproszenie mocy
1.006kW
Temperatura złącza Tj, maks.
150°C
Rodzaj obudowy tranzystora
Moduł
Maks. napięcie kolektor-emiter
1.2kV
Technologia IGBT
Trench Field Stop
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (1)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze GD200HFY120C2S
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:To Be Advised
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.313704