Drukuj stronę
STGW20NC60VD
IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTGW20NC60VD
Nr katalogowy Farnell9512535
Karta katalogowa
254 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 16,290 zł |
| 10+ | 14,260 zł |
| 100+ | 7,760 zł |
| 500+ | 6,540 zł |
| 1000+ | 6,500 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
16,29 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTGW20NC60VD
Nr katalogowy Farnell9512535
Karta katalogowa
Prąd ciągły kolektora60A
Napięcie nasycenia kolektor-emiter2.5V
Rozproszenie mocy200W
Maks. napięcie kolektor-emiter600V
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Montaż tranzystoraprzewlekany
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
The STGW20NC60VD is a 600V very fast IGBT utilizes the advanced Power MESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior. It is suitable for use with high frequency inverters, UPS, motor drive, SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
- High current capability
- High frequency operation up to 50KHz
- Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode
- ±20V Gate to emitter voltage
- 0.63°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
- 1.5°C/W IGBT thermal resistance, junction to case
- 50°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Prąd ciągły kolektora
60A
Rozproszenie mocy
200W
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
2.5V
Maks. napięcie kolektor-emiter
600V
Liczba pinów
3Pins
Montaż tranzystora
przewlekany
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze STGW20NC60VD
Znaleziono 8 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 3 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.007439