Drukuj stronę
STW11NK100Z
MOSFET mocy, Kanał typu N, 1 kV, 8.3 A, 1.38 ohm, TO-247, przewlekany
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTW11NK100Z
Nr katalogowy Farnell1468004
Asortyment produktówSTW
Karta katalogowa
33 049 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 16,880 zł |
| 10+ | 16,670 zł |
| 100+ | 13,000 zł |
| 500+ | 11,520 zł |
| 1000+ | 11,480 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
16,88 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentSTMICROELECTRONICS
Nr części producentaSTW11NK100Z
Nr katalogowy Farnell1468004
Asortyment produktówSTW
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds1kV
Prąd ciągły Id drenu8.3A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”1.38ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-247
Montaż tranzystoraprzewlekany
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs3.75V
Rozproszenie mocy230W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówSTW
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Specyfikacja
STW11NK100Z jest N-kanałowym MOSFET-em mocy 1000V, z zabezpieczeniem typu Zenera. Został opracowany z wykorzystaniem technologii SuperMESH™, osiągniętej dzięki optymalizacji uznanego układu PowerMESH™. Oprócz znacznego zmniejszenia rezystancji trybu „on”, szczególną uwagę przywiązano do zapewnienia bardzo dobrej zdolności dV/dt, z przeznaczeniem dla najbardziej wymagających aplikacji. Ulepszony ładunek bramki jak i mniejsze rozproszenie mocy dla współczesnych wymogów wydajności.
- Bardzo wysoka zdolność dV / dt
- W 100% przetestowany lawinowo
- Zminimalizowany ładunek bramki
- Bardzo niska pojemność wewnętrzna
- Bardzo dobra powtarzalność produkcyjna
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
8.3A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-247
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
230W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Napięcie drenu / źródła Vds
1kV
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
1.38ohm
Montaż tranzystora
przewlekany
Napięcie progowe Vgs
3.75V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
STW
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze STW11NK100Z
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Nie
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Nie
Substancje SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.010433