Drukuj stronę
INA828ID
INSTRUMENTATION AMP, 2MHZ, 145DB, SOIC-8
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
444 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 41,150 zł |
| 10+ | 36,000 zł |
| 25+ | 29,840 zł |
| 50+ | 26,750 zł |
| 100+ | 24,690 zł |
| 250+ | 23,040 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
41,15 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentTEXAS INSTRUMENTS
Nr części producentaINA828ID
Nr katalogowy Farnell3116846
Napięcie niezrównoważenia wejścia50µV
Typowa prędkość narastania1.2V/µs
Pole wzmocnienia (GBW)2MHz
Zakres napięcia zasilania4.5V do 36V, ± 2.25V do ± 18V
Obudowa układu ICSOIC
Liczba pinów8Pins
Współczynnik CMRR145dB
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.125°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Liczba wzmacniaczy1 wzmacniacz
Szybkość narastania (slew rate)1.2V/µs
Szerokość pasma2MHz
Rodzaj obudowy wzmacniaczaSOIC
Wyjście wzmacniaczaAsymetryczne
Specyfikacja
The INA828ID is a high precision instrumentation amplifier that offers low powerconsumption and operates over a very wide single- or dual-supply range. A single external resistorsets any gain from 1 to 1000. The device offers excellent precision due to the use of newsuper-beta input transistors which provide exceptionally low input offset voltage, offset voltagedrift, input bias current, and input voltage and current noise. Additional circuitry protects theinputs against overvoltage up to ±40V.
- Low Offset Voltage: 50uV, max
- Gain Drift: 5 ppm/°C (G = 1), 50 ppm/°C (G <gt/> 1)
- Bandwidth: 2 MHz (G = 1), 260 kHz (G = 100)
- Stable with 1-nF Capacitive Loads
- Inputs Protected Up to +/-40V
Specyfikacje techniczne
Napięcie niezrównoważenia wejścia
50µV
Pole wzmocnienia (GBW)
2MHz
Obudowa układu IC
SOIC
Współczynnik CMRR
145dB
Temperatura robocza, maks.
125°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Liczba wzmacniaczy
1 wzmacniacz
Szerokość pasma
2MHz
Wyjście wzmacniacza
Asymetryczne
Typowa prędkość narastania
1.2V/µs
Zakres napięcia zasilania
4.5V do 36V, ± 2.25V do ± 18V
Liczba pinów
8Pins
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Szybkość narastania (slew rate)
1.2V/µs
Rodzaj obudowy wzmacniacza
SOIC
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85423390
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.016964
Śledzenie produktu