Drukuj stronę
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu P, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
381 622 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,350 zł |
| 500+ | 1,030 zł |
| 1000+ | 0,840 zł |
| 5000+ | 0,690 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
155,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI2319CDS-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell1858942RL
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu4.4A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.064ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.2V
Rozproszenie mocy1.25W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Specyfikacja
SI2319CDS-T1-GE3 to P-kanałowy MOSFET mocy TrenchFET® o temperaturze roboczej 175°C.
- Napięcie bramka-źródło: ±20V
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
4.4A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
1.25W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.064ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.2V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI2319CDS-T1-GE3
Znaleziono 4 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 4 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000181