Drukuj stronę
SI2387DS-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu P, 80 V, 3 A, 0.164 ohm, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI2387DS-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell3765809
Asortyment produktówTrenchFET Gen IV
Karta katalogowa
11 993 W Magazynie
12 000 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 2,210 zł |
| 50+ | 1,580 zł |
| 100+ | 0,870 zł |
| 500+ | 0,770 zł |
| 1500+ | 0,650 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
11,05 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI2387DS-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell3765809
Asortyment produktówTrenchFET Gen IV
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds80V
Prąd ciągły Id drenu3A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.164ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs2.5V
Rozproszenie mocy2.5W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktówTrenchFET Gen IV
Kwalifikacja-
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacja
- P-channel 80V (D-S) MOSFET
- TrenchFET® Gen IV P-channel power MOSFET
- 100 % Rg and UIS tested
- Applications include load switch, circuit protection and motor drive control
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
3A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
2.5W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Napięcie drenu / źródła Vds
80V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.164ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
2.5V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
TrenchFET Gen IV
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu