Drukuj stronę
SI7252DP-T1-GE3
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 100 V, 100 V, 36.7 A, 36.7 A, 0.014 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
26 399 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 10,850 zł |
| 10+ | 7,430 zł |
| 100+ | 5,230 zł |
| 500+ | 4,010 zł |
| 1000+ | 3,690 zł |
| 5000+ | 3,340 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
10,85 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSI7252DP-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell2364060
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N100V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N36.7A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P36.7A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.014ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.014ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK SO
Liczba pinów8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N46W
Rozproszenie mocy, kanał typu P46W
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCLead (07-Nov-2024)
Specyfikacja
Dual N-channel 100V (D-S) MOSFET for use in primary side switching, synchronous rectification and DC/AC inverters.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
36.7A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.014ohm
Liczba pinów
8Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
46W
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
100V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
36.7A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.014ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK SO
Rozproszenie mocy, kanał typu N
46W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SI7252DP-T1-GE3
Znaleziono 1 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001
Śledzenie produktu