Drukuj stronę
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET mocy, Kanał typu P, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
43 234 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 6,880 zł |
| 10+ | 4,810 zł |
| 100+ | 3,720 zł |
| 500+ | 2,820 zł |
| 1000+ | 2,570 zł |
| 5000+ | 2,290 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
6,88 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSIS443DN-T1-GE3
Nr katalogowy Farnell2364099
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu P
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu35A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0097ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK 1212
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1V
Rozproszenie mocy52W
Liczba pinów8Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (07-Nov-2024)
Specyfikacja
SIS443DN-T1-GE3 to P-kanałowy MOSFET mocy TrenchFET® -40V. Jest odpowiedni do użytku w ładowaniu baterii notebooka, przetwornic DC na DC oraz przełączania zasilacza. MOSFET P-kanałowy do aplikacji przełączania jest odpowiedni dla rezystancji matrycy ok. 1mΩ. Ma zdolność obsługi 85A.
- Bezhalogenowy, zgodnie z definicją IEC 61249-2-21
- W 100% testowany pod kątem Rg
- W 100% testowany pod kątem UIS
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu P
Prąd ciągły Id drenu
35A
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK 1212
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
52W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0097ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1V
Liczba pinów
8Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Taiwan
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002