Drukuj stronę
SQJQ900E-T1_GE3
Podwójny MOSFET, Kanał typu N, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentVISHAY
Nr części producentaSQJQ900E-T1_GE3
Nr katalogowy Farnell3772876
Asortyment produktówTrenchFET Series
Karta katalogowa
1 801 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 8,780 zł |
| 10+ | 7,090 zł |
| 100+ | 5,870 zł |
| 500+ | 4,900 zł |
| 1000+ | 4,200 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 1
Wiele: 1
8,78 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSQJQ900E-T1_GE3
Nr katalogowy Farnell3772876
Asortyment produktówTrenchFET Series
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N40V
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P40V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N100A
Prąd ciągły Id drenu, kanał P100A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N0.0034ohm
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P0.0034ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraPowerPAK SO
Liczba pinów4Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu N75W
Rozproszenie mocy, kanał typu P75W
Temperatura robocza, maks.175°C
Asortyment produktówTrenchFET Series
KwalifikacjaAEC-Q101
Substancje SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał P
40V
Prąd ciągły Id drenu, kanał P
100A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu P
0.0034ohm
Liczba pinów
4Pins
Rozproszenie mocy, kanał typu P
75W
Asortyment produktów
TrenchFET Series
Substancje SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Napięcie drenu / źródła Vds, kanał N
40V
Prąd ciągły Id drenu, kanał N
100A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”, kanał typu N
0.0034ohm
Rodzaj obudowy tranzystora
PowerPAK SO
Rozproszenie mocy, kanał typu N
75W
Temperatura robocza, maks.
175°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Dokumentacja techniczna (1)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000001
Śledzenie produktu