Drukuj stronę
SUD50N04-8M8P-4GE3
MOSFET mocy, Kanał typu N, 40 V, 50 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
49 337 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 4,770 zł |
| 10+ | 4,140 zł |
| 100+ | 2,510 zł |
| 500+ | 2,380 zł |
| 1000+ | 2,380 zł |
| 5000+ | 2,380 zł |
Minimum: 1
Wiele: 1
4,77 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaSUD50N04-8M8P-4GE3
Nr katalogowy Farnell1794799
Karta katalogowa
Typ kanałuKanał typu N
Napięcie drenu / źródła Vds40V
Prąd ciągły Id drenu50A
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”0.0069ohm
Rodzaj obudowy tranzystoraTO-252 (DPAK)
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)10V
Napięcie progowe Vgs1.5V
Rozproszenie mocy48.1W
Liczba pinów3Pins
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCLead (07-Nov-2024)
Specyfikacja
SUD50N04-8M8P-4GE3 to N-kanałowy MOSFET mocy TrenchFET® 40V. Odpowiedni do inwertera podświetlania dla wyświetlacza LCD, przetwornicy DC na DC, a także do konwertera pełnomostkowego.
- Bezhalogenowy, zgodnie z definicją IEC 61249-2-21
- W 100% testowany pod kątem Rg
- W 100% testowany pod kątem UIS
- Zoptymalizowany pod kątem PWM
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie rynkowe na ten produkt spowodowało wydłużenie czasu realizacji - czasy dostaw mogą ulec zmianie
Specyfikacje techniczne
Typ kanału
Kanał typu N
Prąd ciągły Id drenu
50A
Rodzaj obudowy tranzystora
TO-252 (DPAK)
Napięcie Vgs pomiaru Rds(on)
10V
Rozproszenie mocy
48.1W
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Napięcie drenu / źródła Vds
40V
Rezystancja dren-źródło w trybie „On”
0.0069ohm
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Napięcie progowe Vgs
1.5V
Liczba pinów
3Pins
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SUD50N04-8M8P-4GE3
Znaleziono 8 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0003