Drukuj stronę
VEMD8080
Fotodioda, krzemowa, 65°, 0.2 nA, 850 nm, Top View SMD, 8 pinów, -40°C do 85°C
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
11 149 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 4,770 zł |
| 500+ | 4,170 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
497,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaVEMD8080
Nr katalogowy Farnell3588569RL
Karta katalogowa
Liczba pinów8Pins
Rodzaj obudowy diodySMD
Długość fali czułości szczytowej850nm
Kąt połówkowy czułości ±65°
Prąd ciemny0.2nA
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Substancje SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Specyfikacja
VEMD8080 is a silicon PIN photodiode. This is a high speed and high sensitive PIN photodiode with enhanced sensitivity for visible light. It is a low profile surface-mount device (SMD) including the chip with a 4.5mm² sensitive area detecting visible and near infrared radiation. Application includes high speed photo detector, wearables.
- 0.48mm low profile package, enhanced sensitivity for visible light
- Suitable for visible and near infrared radiation, fast response times
- Surface-mount package type, top view package form
- Angle of half sensitivity is ±65deg (typ, Ta=25°C), forward voltage is 1.2V (typ, IF=50mA, Ta=25°C)
- Reverse dark current is 0.2nA (typ, VR = 10V, E = 0, Tamb = 25°C)
- Diode capacitance is 47pF (typ, VR = 0V, f = 1MHz, E = 0, Tamb = 25°C)
- Open circuit voltage is 320mV (typ, Ee = 1mW/cm², λ = 950nm, Tamb = 25°C)
- Rise time is 70ns (typ, VR = 10V, RL = 1Kohm, λ = 830nm, Tamb = 25°C)
- Operating temperature range from -40 to +85°C
Specyfikacje techniczne
Liczba pinów
8Pins
Długość fali czułości szczytowej
850nm
Prąd ciemny
0.2nA
Temperatura robocza, maks.
85°C
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Rodzaj obudowy diody
SMD
Kąt połówkowy czułości ±
65°
Temperatura robocza, min.
-40°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.004536
Śledzenie produktu