Drukuj stronę
VSLY3850
Emiter podczerwieni, duża prędkość, 850 nm, 18 °, T-1 (3mm), 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
1 612 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 1+ | 5,570 zł |
| 10+ | 4,060 zł |
| 25+ | 3,730 zł |
| 50+ | 3,390 zł |
| 100+ | 3,060 zł |
| 500+ | 2,610 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 1
Wiele: 1
5,57 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaVSLY3850
Nr katalogowy Farnell1870806
Karta katalogowa
Szczytowa długość fali850nm
Kąt intensywności połówkowej18°
Rodzaj obudowy diodyT-1 (3mm)
Intensywność promieniowania10mW/Sr
Czas narastania10ns
Czas opadania tf10ns
Prąd przewodzenia If(AV)100mA
Napięcie przewodzenia VF, maks.1.9V
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Specyfikacja
The VSLY3850 is a 850nm high speed Infrared Emitting Diode based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensity, high optical power and moulded in a clear. It is suitable for high pulse current operation. It is suitable for use in infrared radiation source for operation with CMOS cameras, high speed IR data transmission, 3D TV application and light curtains.
- High speed
- High radiant power
- High radiant intensity
- ±18° Angle of half intensity
- Good spectral matching with CMOS cameras
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Szczytowa długość fali
850nm
Rodzaj obudowy diody
T-1 (3mm)
Czas narastania
10ns
Prąd przewodzenia If(AV)
100mA
Temperatura robocza, min.
-40°C
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Substancje SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Kąt intensywności połówkowej
18°
Intensywność promieniowania
10mW/Sr
Czas opadania tf
10ns
Napięcie przewodzenia VF, maks.
1.9V
Temperatura robocza, maks.
85°C
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85414100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.002268
Śledzenie produktu