Drukuj stronę
VSMY2853G
Emiter podczerwieni, 850 nm, 28 °, SMD, 10 mW/Sr, 10 ns, 10 ns
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
24 021 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 1,820 zł |
| 500+ | 1,540 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
202,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentVISHAY
Nr części producentaVSMY2853G
Nr katalogowy Farnell2504167RL
Karta katalogowa
Szczytowa długość fali850nm
Kąt intensywności połówkowej28°
Rodzaj obudowy diodySMD
Intensywność promieniowania10mW/Sr
Czas narastania10ns
Czas opadania tf10ns
Prąd przewodzenia If(AV)100mA
Napięcie przewodzenia VF, maks.1.9V
Temperatura robocza, min.-40°C
Temperatura robocza, maks.85°C
Kwalifikacja motoryzacyjna-
Asortyment produktów-
Substancje SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Specyfikacja
VSMY2853G is a VSMY2853 series high speed infrared emitting diode. This is infrared, 850nm emitting diodes based on GaAlAs surface emitter chip technology with extreme high radiant intensities, high optical power and high speed, moulded in clear, untinted plastic packages (with lens) for surface mounting (SMD). Application includes miniature light barrier, photo interrupters, optical switch, emitter source for proximity sensors, IR touch panels, IR illumination.
- High reliability, high radiant power
- Very high radiant intensity
- Angle of half intensity is ±28° (Tamb = 25°C)
- Suitable for high pulse current operation
- Terminal configurations gullwing or reverse gullwing
- 10ns typ fall time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 50mW/sr typ radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms)
- 10ns typ rise time ( IF = 100mA, 10% to 90%), 850nm typ peak wavelength (IF = 100mA)
- 100mA forward current (Tamb = 25°C)
- Operating temperature range from -40 to +85°C
- Dimensions (L x W x H) is 2.3 x 2.3 x 2.55mm
Specyfikacje techniczne
Szczytowa długość fali
850nm
Rodzaj obudowy diody
SMD
Czas narastania
10ns
Prąd przewodzenia If(AV)
100mA
Temperatura robocza, min.
-40°C
Kwalifikacja motoryzacyjna
-
Substancje SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Kąt intensywności połówkowej
28°
Intensywność promieniowania
10mW/Sr
Czas opadania tf
10ns
Napięcie przewodzenia VF, maks.
1.9V
Temperatura robocza, maks.
85°C
Asortyment produktów
-
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85414300
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (07-Nov-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000016
Śledzenie produktu