Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentWEEN SEMICONDUCTORS
Nr części producentaBT152-800R
Nr katalogowy Farnell1081331
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Karta katalogowa
Wycofano z produkcji
Informacje o produkcie
ProducentWEEN SEMICONDUCTORS
Nr części producentaBT152-800R
Nr katalogowy Farnell1081331
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Karta katalogowa
Szczytowe napięcie w stanie Off powtarz. Vdrm800V
Prąd przełączający bramki Igt, maks.32mA
Prąd It, średni13A
Prąd RMS w stanie włączenia IT(rms)20A
Rodzaj obudowy tyrystoraTO-220AB
Liczba pinów3Pins
Szczytowy prąd udarowy niepowtarz. Itsm 50Hz200A
Prąd podtrzymania Ih, maks.60mA
Napięcie przełączające bramki Vgt, maks.600mV
Temperatura robocza, maks.150°C
Do montażu na tyrystorzePrzewlekany
Asortyment produktówCompute Module 3+ Series
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Specyfikacja
The BT152-800R from NXP is a through hole planar passivated silicon controlled rectifier in a SOT78 (TO-220AB) plastic package. Rectifier has high thermal cycling performance, high voltage capability and planar passivated for voltage ruggedness and reliability. This rectifier is intended for use in applications requiring very high inrush current capability and high thermal cycling performance.
- Repetitive peak reverse voltage is 800V
- Non repetitive peak on state current of 200A
- Average on state current of 13A
- Maximum gate trigger current of 32mA
- Maximum gate trigger voltage of 1.5V
- Maximum holding current is 60mA
- On-state RMS current of 20A
- Junction temperature of 125°C
- Very high current surge capability
Specyfikacje techniczne
Szczytowe napięcie w stanie Off powtarz. Vdrm
800V
Prąd It, średni
13A
Rodzaj obudowy tyrystora
TO-220AB
Szczytowy prąd udarowy niepowtarz. Itsm 50Hz
200A
Napięcie przełączające bramki Vgt, maks.
600mV
Do montażu na tyrystorze
Przewlekany
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Prąd przełączający bramki Igt, maks.
32mA
Prąd RMS w stanie włączenia IT(rms)
20A
Liczba pinów
3Pins
Prąd podtrzymania Ih, maks.
60mA
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
Compute Module 3+ Series
Dokumentacja techniczna (1)
Produkty powiązane
Znaleziono 1 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Philippines
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Należy pamiętać
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.013608