Drukuj stronę
BT169D,112
Tyrystor, 400 V, 200 µA, 500 mA, 800 mA, TO-92, 3 piny/-ów
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentWEEN SEMICONDUCTORS
Nr części producentaBT169D,112
Nr katalogowy Farnell1510734
Karta katalogowa
7 469 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 1,610 zł |
| 10+ | 0,990 zł |
| 100+ | 0,830 zł |
| 500+ | 0,730 zł |
| 1000+ | 0,630 zł |
| 5000+ | 0,480 zł |
Cena netto dlasztuka
Minimum: 5
Wiele: 5
8,05 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentWEEN SEMICONDUCTORS
Nr części producentaBT169D,112
Nr katalogowy Farnell1510734
Karta katalogowa
Szczytowe napięcie w stanie Off powtarz. Vdrm400V
Prąd przełączający bramki Igt, maks.200µA
Prąd It, średni500mA
Prąd RMS w stanie włączenia IT(rms)800mA
Rodzaj obudowy tyrystoraTO-92
Liczba pinów3Pins
Szczytowy prąd udarowy niepowtarz. Itsm 50Hz8A
Prąd podtrzymania Ih, maks.5mA
Napięcie przełączające bramki Vgt, maks.500mV
Temperatura robocza, maks.150°C
Do montażu na tyrystorzePrzewlekany
Asortyment produktów-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL-
Substancje SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Specyfikacja
The BT169D from NXP is a through hole planar passivated silicon controlled rectifier with sensitive gate in a SOT54 (TO-92) plastic package. This SCR is designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic ICs and other low power gate trigger circuits. Typical applications of SCR are Ignition circuits, lighting ballasts, protection circuits.
- Planar passivated for voltage ruggedness and reliability
- Sensitive gate
- Direct triggering from low power gate circuits and logic ICs
- Average on state current of 500mA
- Maximum gate trigger current of 200µA
- Maximum gate trigger voltage of 800mV
- Holding current is 5mA
- Non repetitive peak on state current of 8A
- Repetitive peak off-state voltage of 400V
- Junction temperature of 125°C
Specyfikacje techniczne
Szczytowe napięcie w stanie Off powtarz. Vdrm
400V
Prąd It, średni
500mA
Rodzaj obudowy tyrystora
TO-92
Szczytowy prąd udarowy niepowtarz. Itsm 50Hz
8A
Napięcie przełączające bramki Vgt, maks.
500mV
Do montażu na tyrystorze
Przewlekany
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
-
Prąd przełączający bramki Igt, maks.
200µA
Prąd RMS w stanie włączenia IT(rms)
800mA
Liczba pinów
3Pins
Prąd podtrzymania Ih, maks.
5mA
Temperatura robocza, maks.
150°C
Asortyment produktów
-
Substancje SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (23-Jan-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001361