Drukuj stronę
2RM150M-8/S
Gazowy element wyładowczy (GDT), 2R-8x6 Series, 150 V, 2 wyprowadzenia SMD, 10 kA, 600 V
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
ProducentYAGEO
Nr części producenta2RM150M-8/S
Nr katalogowy Farnell3052457RL
Asortyment produktów2R-8x6 Series
Karta katalogowa
165 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 100+ | 2,030 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
223,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentYAGEO
Nr części producenta2RM150M-8/S
Nr katalogowy Farnell3052457RL
Asortyment produktów2R-8x6 Series
Karta katalogowa
Asortyment produktów2R-8x6 Series
Napięcie przerzutu DC150V
Typ obudowy GDT2 wyprowadzenia SMD
Prąd impulsowy rozładowania10kA
Napięcie impulsowe przeskoku600V
Substancje SVHCNo SVHC (15-Jan-2019)
Specyfikacja
2RM150M-8/S to element GDT do zabezpieczeń przeciwprzepięciowych. Rezystancja izolacji elementu GDT ma wartość <gt/>1 Gohm, dzięki czemu ma nieznaczne pogorszenie parametrów prędkości oraz wysoki poziom niezawodności. Produkt ten znajduje zastosowanie w repeaterach, modemach, interfejsach telefonów, kartach liniowych, w komunikacji danych, a także w sprzęcie do testowania liniowego.
- Stabilne napięcie przebicia
- Mała pojemność (≤1,5 pF)
- Wysokie napięcie blokowania
- Opcja pochłaniania prądu przejściowego
- Konstrukcja typu micro-gap
- Rozmiar: 8,0mm x 6,0mm
- Zakres temperatury roboczej: od -40˚C do +85˚C
- Certyfikacja bezpieczeństwa E244458 i E327997
Specyfikacje techniczne
Asortyment produktów
2R-8x6 Series
Typ obudowy GDT
2 wyprowadzenia SMD
Napięcie impulsowe przeskoku
600V
Napięcie przerzutu DC
150V
Prąd impulsowy rozładowania
10kA
Substancje SVHC
No SVHC (15-Jan-2019)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Switzerland
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Switzerland
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0001