Drukuj stronę
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
39 W Magazynie
1 000 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
Ilość | Cena (bez VAT) |
---|---|
100+ | 2,270 zł |
500+ | 1,760 zł |
1000+ | 1,570 zł |
5000+ | 1,390 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 100
Wiele: 1
247,00 zł (bez VAT)
Do kwoty płatności za ten produkt dodajemy opłatę za nawijanie na szpulę w wysokości 20,00 zł
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaZXTN2010GTA
Nr katalogowy Farnell1471165RL
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter80V
Prąd ciągły kolektora6A
Rozproszenie mocy1.6W
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-223
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów4Pins
Częstotliwość przejścia ft130MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE200hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCLead (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The ZXTN2010GTA is a NPN medium power low saturation Bipolar Transistor offers 6A continuous collector current and 150V collector-base voltage. It is suitable for emergency lighting circuits, motor driving (including DC fans), solenoid, relay and actuator drivers, DC modules and backlight inverters.
- UL94V-0 Flammability rating
- 20A Peak pulse current
- <lt/>60mV Maximum low saturation voltage VCE(SAT) @ 1A
- Extremely low equivalent ON-resistance
- hFE specified up to 10A for high gain hold up
- Halogen-free, Green device
- -55 to 150°C Operating temperature range
Ostrzeżenia
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
6A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-223
Liczba pinów
4Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
200hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
80V
Rozproszenie mocy
1.6W
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
130MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000245
Śledzenie produktu