Drukuj stronę
ZXTN25100BFHTA
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 100 V, 3 A, 1.25 W, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
2 059 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 3,390 zł |
| 50+ | 2,250 zł |
| 100+ | 1,500 zł |
| 500+ | 1,090 zł |
| 1500+ | 0,990 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
16,95 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentDIODES INC.
Nr części producentaZXTN25100BFHTA
Nr katalogowy Farnell3405162
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter100V
Prąd ciągły kolektora3A
Rozproszenie mocy1.25W
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft160MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE50hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
ZXTN25100BFHTA is a NPN low-saturation transistor. Applications include lamp relay and solenoid drivers, general switching in industrial applications, motor drive and control.
- Collector-base breakdown voltage is 220V typ at IC = 100µA, TA = +25°C
- Collector-emitter breakdown voltage is 120V typ at IC = 1mA, TA = +25°C
- Emitter-collector breakdown voltage is 8.4V typ at IE = 100µA, TA = +25°C
- Collector emitter cut-off current is 100nA max at VCE = 136V, RBE < 1kohm or -1V < VBE < 0.25V
- Emitter cut-off current is <1nA typ at VEB = 5.6V, TA = +25°C
- Collector-emitter saturation voltage is 40mV typ at IC = 0.5A, IB = 50mA, TA = +25°C
- Transition frequency is 160MHz typ at IC = 100mA, VCE = 5V, f = 100MHz, TA = +25°C
- Collector output capacitance is 9.4pF typ at VCB = 10V, f = 1MHz, TA = +25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
- SOT23 case
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
3A
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
50hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
100V
Rozproszenie mocy
1.25W
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
160MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.0002
Śledzenie produktu