Drukuj stronę
BC859CW,115
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, PNP, 30 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
Dostępne do zamówienia
Standardowy czas realizacji zamówienia przez producenta: 10 tydzień (tygodnie)
Proszę mnie powiadomić, gdy produkt ten będzie ponownie dostępny w magazynie.
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 3000+ | 0,210 zł |
| 9000+ | 0,210 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na pełnej rolce)
Minimum: 3000
Wiele: 3000
630,00 zł (bez VAT)
Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentNEXPERIA
Nr części producentaBC859CW,115
Nr katalogowy Farnell2439043
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraPNP
Maks. napięcie kolektor-emiter30V
Prąd ciągły kolektora100mA
Rozproszenie mocy200mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-323
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft100MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE420hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
Kwalifikacja-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Specyfikacja
BC859CW,115 to tranzystor PNP ogólnego zastosowania w plastikowej obudowie. Jest odpowiedni do użytku z stopniami niskoszumowymi w rejestratorach taśmowych, wzmacniaczach hi-fi, a także w pozostałym sprzęcie częstotliwości audio.
- Zgodność NPN: BC849W i BC850W
- Kod oznaczenia: 4C
Ostrzeżenia
Zapotrzebowanie na ten produkt wydłużyło czas realizacji zamówień. Daty dostaw mogą ulec zmianie. Produkt nie jest objęty rabatami cenowymi.
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
PNP
Prąd ciągły kolektora
100mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-323
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
420hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
30V
Rozproszenie mocy
200mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
100MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
-
Substancje SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Dokumentacja techniczna (2)
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:Malaysia
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.001
Śledzenie produktu