Drukuj stronę
MMBT3904LT1G
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
51 000 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 3000+ | 0,070 zł |
| 9000+ | 0,060 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na pełnej rolce)
Minimum: 3000
Wiele: 3000
210,00 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBT3904LT1G
Nr katalogowy Farnell2317804
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter40V
Prąd ciągły kolektora200mA
Rozproszenie mocy225mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft300MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE30hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
MMBT3904LT1G is a NPN silicon, surface mount, general purpose transistor.
- Collector-emitter breakdown voltage is 40VDC min (TA = 25°C, IC = 1.0mAdc, IB = 0)
- Collector-base breakdown voltage is 60VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Emitter-base breakdown voltage is 6.0VDC min (IC = 0.1µmAdc, IE = 0, TA = 25°C)
- Collector current - continuous is 900mAdc max (TA = 25°C)
- Total Device Dissipation FR-5 Board is 225mW max (TA = 25°C)
- Thermal resistance junction-to-ambient is 556°C/W max (TA = 25°C)
- Collector cutoff current is 50nAdc max (VCE = 30VDC, VEB = 3.0Vdc)
- Noise figure is 5.0dB max (VCE = 5.0VDC, IC = 100µADC, RS = 1.0kohm, f = 1.0KHz)
- SOT-416 package
- Junction temperature range from -65 to +150°C
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
200mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
30hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
40V
Rozproszenie mocy
225mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
300MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBT3904LT1G
Znaleziono 8 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000033
Śledzenie produktu