Drukuj stronę
MMBTA42LT1G
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, uniwersalny, NPN, 300 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
9 000 W Magazynie
30 000 Można teraz zarezerwować na zapas
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 3000+ | 0,130 zł |
| 9000+ | 0,100 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na pełnej rolce)
Minimum: 3000
Wiele: 3000
390,00 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaMMBTA42LT1G
Nr katalogowy Farnell2317845
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter300V
Prąd ciągły kolektora500mA
Rozproszenie mocy225mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft50MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE40hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
The MMBTA42LT1G is a 300V NPN silicon high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.
- Halogen-free/BFR-free
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- 300VDC Collector to base voltage (VCBO)
- 6VDC Emitter to base voltage (VEBO)
- 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
500mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
40hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
300V
Rozproszenie mocy
225mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
50MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (3)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze MMBTA42LT1G
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000031
Śledzenie produktu