Drukuj stronę
SMMBT3904LT1G
Bipolarny (BJT) tranzystor pojedynczy, NPN, 40 V, 200 mA, 300 mW, SOT-23, montaż powierzchniowy
Obraz tylko do celów poglądowych. Skorzystaj z opisu produktu.
168 152 W Magazynie
Potrzebujesz więcej?
Dostawa w ciągu 1–2 dni roboczych
Zamówienie przed 17:00 – standardowa wysyłka
| Ilość | Cena (bez VAT) |
|---|---|
| 5+ | 0,400 zł |
| 10+ | 0,200 zł |
| 100+ | 0,120 zł |
| 500+ | 0,110 zł |
| 1000+ | 0,100 zł |
| 5000+ | 0,090 zł |
Cena netto dlasztuka (dostarczane na taśmie ciętej)
Minimum: 5
Wiele: 5
2,00 zł (bez VAT)
Dodaj numer części / Uwagi na temat danego wiersza
Dodano do potwierdzenia zamówienia, faktury i potwierdzenia wysyłki tylko dla tego zamówienia.
Ten numer zostanie dodany do potwierdzenia zamówienia, faktury, potwierdzenia wysyłki, wiadomości e-mail z potwierdzeniem i etykiety produktu.
Informacje o produkcie
ProducentONSEMI
Nr części producentaSMMBT3904LT1G
Nr katalogowy Farnell2533347
Karta katalogowa
Biegunowość tranzystoraNPN
Maks. napięcie kolektor-emiter40V
Prąd ciągły kolektora200mA
Rozproszenie mocy300mW
Rodzaj obudowy tranzystoraSOT-23
Montaż tranzystoramontaż powierzchniowy
Liczba pinów3Pins
Częstotliwość przejścia ft300MHz
Min. wzmocnienie prądu DC hFE300hFE
Temperatura robocza, maks.150°C
Asortyment produktów-
KwalifikacjaAEC-Q101
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSLMSL 1 - nieograniczone
Substancje SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Specyfikacja
SMMBT3904LT1G is a NPN general purpose transistor in a 3 pin SOT-23 package.
- Collector-emitter voltage is 40VDC
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Collector current - continuous is 200mA DC
- Collector-base voltage VCBO is 60VDC, emitter-base voltage VEBO is 6.0VDC
- Collector-emitter breakdown voltage (IC = 1.0mAdc, IB = 0) is 40V
- Current gain bandwidth product (IC = 10mAdc, VCE = 20Vdc, f = 100MHz) is 300MHz
- Noise figure (VCE = 5.0Vdc, IC = 100Adc, RS = 1Kohms, f = 1.0KHz) is 5.0dB
- Collector cutoff current (VCE = 30 Vdc, VEB = 3.0 Vdc) is 50nAdc
Specyfikacje techniczne
Biegunowość tranzystora
NPN
Prąd ciągły kolektora
200mA
Rodzaj obudowy tranzystora
SOT-23
Liczba pinów
3Pins
Min. wzmocnienie prądu DC hFE
300hFE
Asortyment produktów
-
Wskaźnik wrażliwości na wilgoć MSL
MSL 1 - nieograniczone
Maks. napięcie kolektor-emiter
40V
Rozproszenie mocy
300mW
Montaż tranzystora
montaż powierzchniowy
Częstotliwość przejścia ft
300MHz
Temperatura robocza, maks.
150°C
Kwalifikacja
AEC-Q101
Substancje SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Dokumentacja techniczna (2)
Alternatywy w stosunku do produktu o numerze SMMBT3904LT1G
Znaleziono 3 produktów
Produkty powiązane
Znaleziono 2 produktów
Ustawodawstwo i kwestie dotyczące ochrony środowiska
Kraj pochodzenia:
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcjiKraj pochodzenia:China
Kraj, w którym odbył się ostatni istotny etap procesu produkcji
Taryfa celna:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Zgodny z RoHS:Tak
RoHS
Ftalany zgodne z dyrektywą RoHS:Tak
RoHS
Substancje SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Pobierz certyfikat zgodności produktu
Świadectwo zgodności produktu
Ciężar (kg):.000363
Śledzenie produktu